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SUD50P04-23
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
V GS = 10 thr u 4 V
2.0
64
4 8
32
16
3 V
1.6
1.2
0. 8
0.4
T C = 125 °C
25 °C
0
0.0
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
50
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.05
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
40
25 °C
0.04
30
125 °C
0.03
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
20
10
0
0.02
0.01
0.00
0
7
14
21
2 8
0
16
32
4 8
64
8 0
0.20
0.16
0.12
0.0 8
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
125 °C
3000
2400
1 8 00
1200
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C iss
0.04
600
C oss
0.00
25 °C
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
8
16
24
32
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 74423
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
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